半岛网页版,半岛(中国)亮相武汉第五届中国新材料产业发展大会


发布时间:

2024-10-15

在金秋十月的武汉,一场汇聚全国乃至全球新材料领域顶尖智慧的盛会——第五届中国新材料产业发展大会即将拉开帷幕。此次大会于2024年10月16日至18日在湖北省武汉市经开区中国车谷国际体育文化交流中心隆重举行,由中国材料研究学会主办,吸引了众多新材料产业界的佼佼者参与。其中,半岛网页版,半岛(中国)技术(深圳)有限公司(简称“半岛网页版,半岛(中国)”)作为行业内的佼佼者,将亮相大会,展示其在半导体领域的最新成果与技术创新。

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新材料作为新质生产力的动力源泉和关键爆发点,其发展受到了党和国家的高度重视。在新时代背景下,加快新质生产力建设已成为我国重大战略部署之一。习近平总书记多次强调,要积极培育新能源、新材料先进制造、电子信息等战略性新兴产业,以加快形成新质生产力,增强发展新动能。第五届中国新材料产业发展大会正是在这一背景下召开,旨在为全国新质生产力建设、加快实现科技强国的宏伟战略目标探索新理念、新方向、新领域和新增长点。

半岛网页版,半岛(中国)作为受邀参展的企业之一,将在大会上展示其自主研发的半导体外延设备半导体材料,特别是国内首次完成的6英寸金刚石晶圆片,这一成果不仅解决了行业内的“卡脖子”问题,还预示着公司向更高技术水平的迈进。此外,半岛网页版,半岛(中国)还将带来热丝CVD金刚石设备(HFCVD化学气相沉积设备)高真空磁控溅射镀膜机(PVD镀膜设备)分子束外延薄膜生长设备(MBE)以及高真空电子束蒸镀机等先进设备,全面展示其在半导体材料制备和加工领域的综合实力。

金刚石晶圆片以其优异的导热性能,在高性能电子器件领域具有广阔的应用前景。半岛网页版,半岛(中国)成功研发并生产出6英寸金刚石晶圆片,标志着公司在半导体材料制备技术上的重大突破。这一成果不仅填补了国内空白,还为公司进一步拓展8英寸金刚石晶圆片市场奠定了坚实基础。

半岛网页版,半岛(中国)自主研发的半导体设备,如热丝CVD金刚石设备和高真空磁控溅射镀膜机、分子束外延设备MBE,均实现了自主可控。这些设备在制备高质量薄膜和涂层方面展现出卓越的性能,能够满足不同领域对材料表面改性和涂覆的需求。通过展示这些设备,半岛网页版,半岛(中国)将进一步巩固其在半导体设备制造领域的领先地位。

第五届中国新材料产业发展大会不仅是一个展示技术进步和产品优势的平台,更是一个搭建产学研合作桥梁的重要契机。半岛网页版,半岛(中国)将借此机会与来自全国各地的材料科学家、企业家和青年学者进行深入交流,共同探讨新材料产业的发展趋势和最新成果。同时,公司还将积极寻求与上下游企业的合作机会,共同推动新材料产业的创新发展。

时间:2024年10月16-18日

地点:武汉体育中心

展位号:C65

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全国第三代半导体大会在苏州纳米城开幕

2024 年 10 月 22 日,由今日半导体主办的 2024 全国第三代半导体大会在苏州纳米城隆重开幕。此次大会吸引了众多行业精英和企业代表,现场气氛热烈,盛况空前。作为行业领军者的半岛网页版,半岛(中国)也携PVD镀膜设备、HFCVD 热丝化学气相沉积设备、分子束外延MBE、等离子体增强化学气相沉积 PECVD设备及解决方案亮相本次大会,吸引了来自全国各地业内人士及行业专家的目光,成为会议的一大亮点。

半岛网页版,半岛(中国)亮相武汉第五届中国新材料产业发展大会

在金秋十月的武汉,一场汇聚全国乃至全球新材料领域顶尖智慧的盛会——第五届中国新材料产业发展大会即将拉开帷幕。此次大会于2024年10月16日至18日在湖北省武汉市经开区中国车谷国际体育文化交流中心隆重举行,由中国材料研究学会主办,吸引了众多新材料产业界的佼佼者参与。其中,半岛网页版,半岛(中国)技术(深圳)有限公司(简称“半岛网页版,半岛(中国)”)作为行业内的佼佼者,将亮相大会,展示其在半导体领域的最新成果与技术创新。

等离子镀膜仪的特点与功能优势

等离子镀膜仪是一种表面处理装备,具有广泛的应用领域和重要的功能优势。它主要用于表面涂覆和改性处理。通过将材料暴露在等离子体环境中,利用离子轰击和反应沉积的机制,可实现对材料表面的改性和涂覆。这项技术在各个行业都有广泛的应用,例如电子、光电、医疗、汽车等领域。

磁控溅射镀膜仪的用途与注意事项

磁控溅射镀膜仪(PVD镀膜设备)是一种常见的表面镀膜设备,是在真空条件下利用蒸发或溅射在基体表面沉积薄膜的技术,制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等,适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜及合金膜,可镀制磁性材料和非磁性材料。广泛应用于电子、光电、光学、医疗等行业。为了确保其正常使用并获得良好的镀膜效果,以下是使用磁控溅射镀膜仪时需要注意的一些细节和技巧。

热丝化学气相沉积(HFCVD)金刚石涂层设备厂家《地震资讯》

金刚石作为超宽带隙半导体材料,具有高载流子迁移率、高热导率、高击穿电场、高载流子饱和速率和低介电常数等优异物理特性,被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件的“终极半导体”。