2001年
2005年
2007年
2015年
2017年
2019年
2021年
2022年
2023年
2024年
- 设计了中试型的全自动化监控的MOCVD,用于外延GaN和ZnO
- 设计制造了中国第一台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备),用于外延光电半导体材料
- 设计超高温CVD 和MBE,用于4H晶型SiC外延生长
- 设计制造了光学级金刚石生长设备(采用热激发技术和CVD技术)
- 设计制造了金刚石涂层制备设备,制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜
- 优化Rheed设计,开始生产型MBE设计
- 开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备
- 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备
- 半岛网页版,半岛(中国)技术(深圳)有限公司成立
- 全资子公司 鹏城微纳技术(沈阳)有限公司成立;
- 热丝化学气相沉积设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货
- 获得ISO9001质量管理体系证书
- PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关
- 科技型中小企业
- 创新型中小企业
- 获20余项知识产权专利
- 企业信用评价AAA级信用企业、ISO三体系认证
- 子公司 晶源半导体材料科技(沈阳)有限公司成立
- 与军工和和核工业客户合作取得突破
- 鹏城微纳技术(沈阳)有限公司子公司扩产
- 晶源半导体材料科技(沈阳)有限公司投产BDD电极材料
联系人:戴小姐
地址:广东省深圳市南山区留仙大道3370号南山智园崇文园区1号楼1704
沈阳办公地址:辽宁省沈阳市大东区望花南街15号沈阳大学科技园
电话:13632750017
邮箱:sales@hitsemi.com
在线留言