工业级高真空磁控溅射仪是用大尺寸磁控溅射靶进行溅射的方法，用于薄膜陶瓷镀膜工序Cu/Ti微结构，Au/TiW传输导线双体系膜层淀积能力，为微系统集成密度提升提供支撑。适用于镀制各种单层膜、多层 膜、掺杂膜及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。本设备优点：膜层均匀性及重复性高，膜层附着力强，设备依据工艺配方进行可编程自动化控制。
设备关键技术特点
秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精准的工艺设备方案。
靶材背面和溅射靶表面的结合处理
- 靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。
- 靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。
- 增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。
距离可调整
基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 
角度可调
磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精准调控。 
集成一体化柜式结构
一体化柜式结构优点：
安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）
占地面积小。
安全性
- 电力系统的检测与保护
- 设置真空检测与报警保护功能
- 温度检测与报警保护
- 冷却循环水系统的压力检测和流量
- 检测与报警保护
匀气技术
工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。
基片加热技术
采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。
真空度更高、抽速更快
真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。

设备结构及性能

- 单镀膜室、双镀膜室、多腔体镀膜室
- 卧式结构、立式结构
- 样品传递：直线式、圆周式
- 磁控溅射靶数量及类型：多支矩形磁控靶靶
- 靶的安装位置：由下向上、由上向下、竖立方向安装
- 磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容高能脉冲
- 基片可旋转、可加热、可升降、可加偏压
- 通入反应气体，可进行反应溅射镀膜
- 操作方式：手动、半自动、全自动

设备主要技术指标
- 基片托架：根据供件大小配置。
- 基片幅面：2、4、6、8、10英寸及指定尺寸兼容。
- 工艺温度区间：室温～600℃，该区间内任意温度可选。
- 样片装载数量：120片～30片(2英寸)x10~15盘。
- 工艺运行速度：0-1.5m/min可调。
- 基片架可加热、可旋转、可升降、可加偏压。
- 进/出样室极限真空度≤8X10^-5Mbar。
- 进/出样室工作真空度≤1X10^-3Mbar。
- 镀膜室的极限真空：5X10^-7Mbar，工作真空度9X10^-6Mbar。
- 膜层均匀性：<5%(片内)，<5%(片间)。
- 设备总体漏放率：关机12小时真空度≤10Pa

产品选型
Sputter系列

CKPVD 系列

CKPVD系列

Sputter系列