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总程系统

设备整体为cluster结构,由光电转换薄膜沉积系统、MAMS 电子剥离系统、排气封装系统、吸气材料真空涂敷系统、整体除气系统组成。可实现整体自动协调操作,也可各系统独立运行,互不干扰,系统间可设置互锁。316材质制造,预留若干法兰接口。

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  • 产品描述
  •  项目

    配置和指标

    1  

    整体结构
    设备整体为cluster结构,由光电转换薄膜沉积系统、MAMS 电子剥离系统、排气封装系统、吸气材料真空涂敷系统、整体除气系统组成。可实现整体自动协调操作,也可各系统独立运行,互不干扰,系统间可设置互锁。316材质制造,预留若干法兰接口。

    2

    系统控制
    设备控制系统可实现单机操作,也可联机操作,并配置上位机,进行1拖6布局。具体控制逻辑实现互锁,操作界面清晰,并可设置工艺编辑权限。

    3

    工艺流程
    装片---传片---确定生长条件(束流、衬底温度)--脱氧--稳定衬底温度---束源升温---生长开始---生长控制---生长结束---束源温度降温--- 衬底温度降温---真空恢复---传出样品--取片---恢复真空。

    4

    原位检测系统
    标准光源控制3100K或其它色温,光源可变强度,可实现照度信息采集。设备整体电位控制0-500V,精度 1/1000, 自动短路保护。光电流实时采集10nA~10mA,自动变挡,精度 1/1000。
    带漏电斜率触发功能。

    5

    加热源及电源
    至少3个金属化合物位置+1个金属单质舟位置,电流控制束流源速率,可实现 0-10A输出,连续可调。设置过压、过热保护。

    6

    电子剥离部件
    剥离源发生极激励电流0-10A ,连续可调,调节精度0.001A,有效区域控制最大有效直径 35mm。能量精度±0.1%@直径 35mm。强度检测带过载报警。

    7

    真空系统
    设备采用分子泵组和低温泵组双真空系统以应对不同工艺的要求,工作真空度≤8*10-7pa,带泵前保护。

    8

    外烘烤系统
    外烘烤温度≤500℃, 烘烤时间24H,设备各部件可长时间应适应该温度。温度范围,(RT)+80℃~500℃,显示精度 0.1℃,温度波动度±1.0℃,温度均匀度±2.0℃%,升温时间25~400℃约90分钟。 

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